2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[14a-F201-1~11] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2017年3月14日(火) 09:15 〜 12:15 F201 (F201)

鳥越 和尚(SUMCO)、仮屋崎 弘昭(GWJ)

10:00 〜 10:15

[14a-F201-4] 酸素拡散を考慮したシリコン単結晶中の転位密度解析

中野 智2、福島 航1、原田 博文2、宮村 佳児2、柿本 浩一1,2 (1.九大院工、2.九大応力研)

キーワード:シリコン、転位

Si結晶中の酸素原子は、転位に固着することで転位を不動化させることが報告されている。CZ法により製造したSi結晶には、 1018 atoms/cm3程度の酸素原子が固溶しており、高温処理などによって転位の増殖が抑制される。本研究では、Si結晶のアニーリング過程において、酸素原子を考慮した転位密度の3次元数値解析を行い、結晶中の転位増殖に及ぼす固溶酸素原子の影響、および転位増殖過程の解析を行った。