[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-315-1] 三次元FP構造AlGaN/GaN HEMTのエッチング溝間隔が電気的特性に与える影響

〇鈴木 敦也¹、Joel Asubar¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT、電流コラプス、3DFP

これまでに電流コラプス抑制のために三次元フィールドプレート(3DFP)が有効であることを報告してきた。本研究では、3DFPをもつAlGaN/GaN HEMTにおいて溝間隔を変化させたデバイスを試作し、溝間隔がデバイスの電気的特性に与える影響について検討した。溝を形成した3DFPデバイスでは性能の劣化が確認された。しかし、3DFPの溝間隔の最適化により、静特性の劣化を最小にしつつ電流コラプスを抑制できることが確認された。