[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-315-11] AlGaN/GaN HFETドレインアバランシェ破壊のTCADシミュレーション

〇大野 泰夫¹、王 仲²、李 根三²、崔 愿哲² (1.レーザーシステム、2.日本シノプシス)

キーワード：AlGaN/GaN HFET、アバランシェ破壊

AlGaN/GaN HFETのドレインアバランシェ破壊をTCADシミュレーションを用いて解析した。標準的な構造ではVd=500V付近をピークにS型負性抵抗を示し、高電流領域ではドレイン電圧は200V程度に低下する。耐圧低下の原因は電子とホールの共注入状態による低抵抗経路の発生で、GRセンターの導入によるホールの排除、あるいはp型層で電子とホールの経路を分断することで耐圧が向上する。