[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-315-14] 1.3THz のf_max を持つドレイン側リセス拡張InP HEMT

〇高橋 剛^1,2、川野 陽一^1,2、牧山 剛三^1,2、芝 祥一¹、佐藤 優^1,2、中舍 安宏^1,2、原 直紀^1,2 (1.富士通研、2.富士通)

キーワード：HEMT、InP、fmax

テラヘルツ通信用ICに要求される高性能な増幅器として、ドレイン側リセス長を拡張したInP HEMTを検討した。ドレイン側の拡張と同時に、チャネルの上下にドーピングを行うことでドレイン出力コンダクタンスを抑制した。これにより、ゲート長が75nmと比較的大きいにもかかわらず、1.3THzの高いf_maxを達成することができた。75nmのゲート長においては最も高いf_maxである。