[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-315-4] 界面顕微光応答法によるSi基板上Ni/AlGaN/GaNショットキー接触の２次元評価

小西 宏明¹、今立 宏美¹、山岡 優哉^2,3、松本 功²、江川 孝志³、〇塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.大陽日酸、3.名工大)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT、ショットキー接触、界面顕微光応答法

Si基板上AlGaN/GaNにおいて、結晶欠陥が電気的特性に及ぼす影響を、界面顕微光応答法で評価した結果を報告する。基板表面が帯状に隆起している領域で電流が増加していることを確認した。一方、顕微鏡像では観察されないが、電流が低い領域が観察される電極も存在した。本手法はSi基板上AlGaN/GaN構造の評価においても有効であることが実証できた。