The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.5 Surface Physics, Vacuum

[14p-316-1~16] 6.5 Surface Physics, Vacuum

Tue. Mar 14, 2017 1:15 PM - 5:45 PM 316 (316)

Masakazu Ichikawa(Univ. of Tokyo), Sakura Takeda(NAIST)

2:15 PM - 2:30 PM

[14p-316-5] Pressure Dependence of Rate of Resist Removal using Hydrogen radicals

〇(B)Tomohiro Shiroi1, Masashi Yamamoto1, Shiro Nagaoka1, Tomokazu Shikama1, Hironobu Umemoto2, Keisuke Ohdaira3, Takashi Nishiyama4, Hideo Horibe4 (1.NIT,Kagawa, 2.Shizuoka Univ., 3.JAIST, 4.Osaka City Univ.)

Keywords:thermalization, radical, resist removal

レジストの除去には、一般に、有害な薬品が用いられており、環境負荷が課題となっている。我々はこれまで水素ラジカルを用いたレジスト除去方式を検討してきた。水素ラジカル生成雰囲気を減圧することで除去速度が向上することまでは分かっていた。今回、除去速度の圧力依存性を明らかにし、圧力の最適値を見出した。ラジカルの濃度律速とエネルギーの相乗効果をプロセス圧により制御することで、13倍の除去速度向上を達成した。