[14p-318-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14p-318-1] 分光エリプソメトリによるSiO₂上Ge成長の成長初期過程の追跡

〇赤沢 方省¹ (1.NTT DIC)

キーワード：Ge、SiO2、分光エリプソメトリ

SiO₂上のGeドットは、高密度メモリや発光素子への応用が期待されている。Geドット生成の精密制御には、光学的モニタリングが必須である。本研究では、Geの核生成とそれに続く結晶成長の初期過程を分光エリプソ角、および反射率の時間変化により追跡し、Incubationの存在を明らかにした。