赤沢方省

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発表者・著者、共著者

2017年3月15日(水) 13:15 〜 17:30 411 (411)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.9 光物性・発光デバイス

[15p-411-1~16] 13.9 光物性・発光デバイス

16:15 〜 16:30

[15p-411-12] ZnGa₂O₄:Eu膜の発光強度に与える基板の影響

〇赤沢方省¹、篠島弘幸² (1.NTT DIC、2.久留米高専)

2017年3月14日(火) 13:45 〜 16:00 318 (318)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14p-318-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

13:45 〜 14:00

[14p-318-1] 分光エリプソメトリによるSiO₂上Ge成長の成長初期過程の追跡

〇赤沢方省¹ (1.NTT DIC)