[14p-412-1~18] 6.2 Carbon-based thin films

△ [14p-412-3] improvement of vertical type 2DHG diamond
FET

〇Nobutaka Oi¹, Kudo Takuya¹, Muta Tsubasa¹, Okubo Satoshi¹, Tsuyuzaki Ikuto¹, Hoshino Haruka¹, Kageura Taisuke¹, Inaba Masafumi¹, Onoda Shinobu², Hiraiwa Atsushi¹, Kawarda Hiroshi^1,3 (1.Waseda Univ., 2.QST, 3.Waseda Zaiken)

Keywords:diamond, semiconductor, device

2DHGダイヤモンドMOSFETは低い電流密度やオンセット電圧に課題が存在する。窒素ドープ層及びトレンチ形成の条件についての検討を行うことによって特性の改善を試みた。また、絶縁膜を除き同様の構造を持つ2DHGダイヤモンドMESFETの作製を行い、電流密度の向上を確認した。