13:45 〜 14:00
△ [14p-412-3] 縦型2DHGダイヤモンドFETの特性向上
キーワード:ダイヤモンド、半導体、デバイス
2DHGダイヤモンドMOSFETは低い電流密度やオンセット電圧に課題が存在する。窒素ドープ層及びトレンチ形成の条件についての検討を行うことによって特性の改善を試みた。また、絶縁膜を除き同様の構造を持つ2DHGダイヤモンドMESFETの作製を行い、電流密度の向上を確認した。
一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜
13:45 〜 14:00
キーワード:ダイヤモンド、半導体、デバイス