[14p-419-1~16] 6.3 Oxide electronics

[14p-419-12] Electrical properties of (Ba,La)SnO₃ epitaxial films

〇Kohei Miura¹, Daisuke Kiriya¹, Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Fujimura Norifumi¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:Oxide semiconductor, BaSnO3

本研究では、結晶方位の異なるSrTiO₃基板上にBsSnO₃薄膜を作製し、キャリア輸送特性の評価を行い、その結晶学的異方性に関して検討を行った。