[14p-P3-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14p-P3-14] 積層メタル技術によるTi/Auめっき構造体のヤング率評価（１）

〇山根 大輔^1,4、小西 敏文²、佐布 晃昭²、中島 英亮^1,4、寺西 美波^1,4、陳 君怡^1,4、Chang Tso-Fu Mark^1,4、曽根 正人^1,4、年吉 洋^3,4、益 一哉^1,4、町田 克之^1,2,4 (1.東工大、2.NTT-AT、3.東大、4.JST-CREST)

キーワード：MEMS、電解めっき、ヤング率