[14p-P3-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14p-P3-2] SiにドープされたAsの光電子ホログラフィー評価と電気的活性化との関係

〇名取 鼓太郎¹、筒井 一生¹、松下 智裕²、室 隆桂之²、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、林 好一³、松井 文彦⁴、森川 良忠⁵、下村 勝⁶、木下 豊彦² (1.東工大、2.高輝度セ、3.名工大、4.奈良先端大、5.大阪大、6.静岡大)

キーワード：光電子ホログラフィー、不純物の活性化/不活性化、砒素の構造

Si結晶中にドープされた不純物元素の占有サイトやクラスター構造は, 不純物の電気的活性化と直接関係があるはずである. これまで種々の議論がされてきたが, 不純物の原子サイトを直接評価しながら電気的活性との関係づけることは容易ではなかった. 我々は放射光を用いた光電子ホログラフィー技術により, Si結晶中でのAs原子の占有構造の特徴抽出に初めて成功したことを以前報告した. 今回, Asの占有構造と電気的な活性/不活性との関連付けについて議論を進めた.