[14p-P3-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14p-P3-6] 超臨界二酸化炭素を用いたLSI配線用カーボンナノ材料の埋め込み

〇小野瀬 和也¹、三浦 剛志¹、牟田 誠¹、西川 慶¹、宇原 祥夫¹、伊藤 勝利¹、斉藤 茂¹ (1.東理大工)

キーワード：超臨界二酸化炭素、カーボンナノ材料、LSI配線