The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[15a-304-1~10] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

Wed. Mar 15, 2017 9:00 AM - 11:30 AM 304 (304)

Minoru Sasaki(Toyota Tech. Inst.)

10:00 AM - 10:15 AM

[15a-304-5] Silicon MEMS Torsional Resonator with Electro Magnetic Driving and Inductive Sensing Functions

Yoshiyuki Watanabe1, Mutsuto Katoh1, Toru Yahagi1, Yutaka Murakami1, Yutaka Abe1 (1.Yamagata Res Inst Tech)

Keywords:MEMS, Torsional resonator, Electro magnetic driving and inductive sensing

MEMS技術によりシリコン捩り共振子を作製した。デバイスは、シリコンチップと永久磁石の2層構造で、感応膜を想定した円板がトーションビームで周辺に固定されている。円板上コイルへのAC通電で電磁力により捩り振動を発生させ、別のコイルに誘起した誘導起電力で振動状態を検出した。電送特性S21を評価したところ、共振周波数は約87kHzで、駆動電圧の低下に伴い高周波側にシフトするピーク可変特性を得た。