[15a-313-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-313-4] 部分キャップ制御による低密度InAs/GaAs量子ドットの形成～厚さ制御によるバックグラウンド発光低減～

〇角田 雅弘¹、太田 泰友¹、車 一宏²、渡邉 克之^1,2、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研)

キーワード：分子線エピタキシー