[15a-315-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-315-2] HSQ膜を用いたピコ秒レーザPLD法によるGaN選択再成長

〇數元 公博¹、Romualdo A. Ferreyra¹、鈴木 朝実良¹、上田 大助¹ (1.京都工繊大)

キーワード：窒化ガリウム、PLD法、再成長

近年GaNデバイスは電力応用に期待されているが、Siパワーデバイスと比べてコンタクト抵抗が大きいという問題がある。更なる高効率化のためにコンタクト抵抗を下げることは大きな課題であり、これまでn型GaN再成長層を形成する方法が注目されてきた。我々はこれまでのMBE法やMOCVD法などに代えてPLD法を用いることでより簡便に行うことを試み、低コンタクト抵抗を実現した。