2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[15a-412-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2017年3月15日(水) 09:00 〜 11:45 412 (412)

山田 英明(産総研)、吉武 剛(九大)

09:15 〜 09:30

[15a-412-2] 高基板温度で成膜したIrを下地としたエピタキシャルダイヤモンドの作製と評価

古場 優樹1、児玉 英之1、藤居 大穀2、金 聖祐2、會田 英雄2、鈴木 一博3、澤邊 厚仁1 (1.青学大理工、2.並木精密宝石、3.トウプラスエンジニアリング)

キーワード:ダイヤモンド、イリジウム、ヘテロエピタキシー