[15a-412-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [15a-412-2] 高基板温度で成膜したIrを下地としたエピタキシャルダイヤモンドの作製と評価

〇古場 優樹¹、児玉 英之¹、藤居 大穀²、金 聖祐²、會田 英雄²、鈴木 一博³、澤邊 厚仁¹ (1.青学大理工、2.並木精密宝石、3.トウプラスエンジニアリング)

キーワード：ダイヤモンド、イリジウム、ヘテロエピタキシー