[15a-B6-1~11] 17.2 グラフェン

[15a-B6-3] 三層グラフェンのヒステリシス現象

〇(DC)岩崎 拓哉¹、ムルガナタン マノハラン¹、水田 博¹ (1.北陸先端大)

キーワード：三層グラフェン、ヒステリシス

三層グラフェンでバックゲート型電界効果トランジスタ(FET)を作製し、真空中、温度5 K～300 Kで電気特性を測定した。ゲート特性にはグラフェンの両極特性が現れるとともに、ヒステリシスループが観測された。これはゲート電圧のスイープ方向を逆にしても同じように観測された。このヒステリシスループにおいて、通常のグラフェンFETに見られる現象とは異なる振舞いを観測した。この現象の詳しい解析・考察結果を発表する。