[15a-F201-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [15a-F201-12] パワーデバイス用GaNウエハの表面電位顕微鏡による評価(1)

〇内田 悠貴¹、安野 光宏¹、鈴木 達己¹、内盛 瑞記¹、山本 秀和¹ (1.千葉工大工)

キーワード：GaN、ワイドギャップ半導体、表面電位顕微鏡

現代のパワーデバイスの主流はシリコンである。
しかし、シリコンには物性的限界が近づいている。
我々は、ワイドギャップ半導体であるGaNに注目し、原子間力顕微鏡及び、表面電位顕微鏡を用いてGaNを評価した。
その結果、GaN on GaNウエハではキャリア密度が低下している領域があることが確認された。