[15a-F201-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [15a-F201-3] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴 (3)
-注入層における注入欠陥の3次元アトムプローブによる解析-

〇重松 理史¹、奥山 亮輔¹、廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、門野 武¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：アトムプローブ

炭素クラスター注入シリコンウェーハの注入飛程領域に5 nm程度のサイズの微小注入欠陥が形成されることを報告してきた．この微小注入欠陥が重金属と軽元素の捕獲サイト（ゲッタリングシンク）を形成していると考えているが詳細な欠陥形態は明らかではなかった．そこで，原子レベルでの質量分析が可能な3次元アトムプローブ法を用いることにより,その解析結果から微小注入欠陥は炭素クラスターであることがわかった．また，炭素クラスターと母体シリコンの界面近傍に酸素が偏析することを明らかとした.