[15a-F201-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [15a-F201-5] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(5)
－X線光電子分光法による注入欠陥形成の解析－

〇門野 武¹、奥山 亮輔¹、柾田 亜由美¹、廣瀬 諒¹、重松 理史¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：クラスターイオン、XPS、アモルファス

高ドーズ量・クラスターイオン注入によって注入レンジに形成されるアモルファス層の形成過程を解析することを目的にX線光電子分光法を用いて注入レンジ表層の結晶性を定量的に評価し，1個のクラスターイオンが形成するアモルファス領域を実験結果および円柱モデルを適用することでクラスターイオンのサイズを変えた場合のアモルファス形成に対する影響を報告する．