2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[15a-F201-1~12] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2017年3月15日(水) 09:00 〜 12:15 F201 (F201)

清井 明(三菱電機)、竹内 正太郎(阪大)

10:15 〜 10:30

[15a-F201-6] 表層固溶酸素濃度を制御した極薄シリコンウェーハの作製と特性

母ヶ野 和美1、竹内 正太郎1、須藤 治生2、青木 竜彦2、荒木 浩司2、泉妻 宏治2、酒井 朗1 (1.阪大院基工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン)

キーワード:極薄化Siウェーハ、ウェットエッチング、表層固溶酸素濃度制御