[15a-F201-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-F201-8] 酸素雰囲気での超高温RTPによる点欠陥の導入挙動の検討 (II)

〇中村 浩三¹、岡村 秀幸³、前田 進³、須藤 治生³、末岡 浩治² (1.岡山県大 地共研、2.岡山県大 情報工、3.グローバルウェーハズ・ジャパン)

キーワード：点欠陥、熱酸化

我々は本大会前報にて高温酸化 (1300~1350℃) におけるシリコン中の格子間Siの過飽和度について報告した。本報告では熱酸化により、格子間Siが過飽和度になるメカニズムについて応力効果モデルにより議論する。