[15a-F201-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-F201-9] 超高温RTPによるCz-Siウェーハのボイド欠陥消滅挙動の検討

〇須藤 治生¹、中村 浩三³、前田 進¹、岡村 秀幸¹、末岡 浩治² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.岡山県大 情報工、3.岡山県大 地域共同研究機構)

キーワード：急速昇降温熱処理、格子間シリコン、ボイド欠陥

本大会前報において、O₂-RTPにおける酸化による格子間Siの過飽和度を記述する実験式を求めた。そこで本報告では、推定された格子間Siの過飽和度により、O₂-RTPにおけるボイドの消滅が定量的に説明可能であることを報告する。