[15a-F204-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15a-F204-11] Microscopic FCA measurement for depth-resolved carrier lifetime measurements in SiC

〇(M1)Shinichi Mae¹, Takeshi Tawara^2,3, Hidekazu Tsuchida⁴, Masashi Kato¹ (1.NITech, 2.AIST, 3.Fuji Electcic Co., Ltd., 4.CRIEPI)

Keywords:SiC, FCA, carrier lifetime

SiCデバイスのバイポーラ動作においてキャリアライフタイムは性能に影響する重要なパラメータであり、その評価法には反射マイクロ波光導電減衰法(μ-PCD法)や自由キャリア吸収法(FCA法)などがある。中でもFCA法ではプローブにレーザーを用いるため観測領域を絞ることができ、高い空間分解能での測定が可能である。本研究ではFCA測定装置の開発を行い、SiCのキャリアライフタイムの深さ分解測定を試みた。