2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[15a-F204-1~12] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2017年3月15日(水) 09:00 〜 12:15 F204 (F204)

石川 由加里(JFCC)

11:45 〜 12:00

[15a-F204-11] 顕微FCA測定によるSiCの深さ分解ライフタイム測定

〇(M1)前 伸一1、俵 武志2,3、土田 秀一4、加藤 正史1 (1.名工大、2.産総研、3.富士電機、4.電中研)

キーワード:SiC、自由キャリア吸収、キャリアライフタイム

SiCデバイスのバイポーラ動作においてキャリアライフタイムは性能に影響する重要なパラメータであり、その評価法には反射マイクロ波光導電減衰法(μ-PCD法)や自由キャリア吸収法(FCA法)などがある。中でもFCA法ではプローブにレーザーを用いるため観測領域を絞ることができ、高い空間分解能での測定が可能である。本研究ではFCA測定装置の開発を行い、SiCのキャリアライフタイムの深さ分解測定を試みた。