[15a-F204-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15a-F204-3] 後方反射X線トポグラフィによる4H-SiC積層欠陥拡張挙動のその場観察

〇藤榮 文博¹、原田 俊太¹、村山 健太¹、花田 賢志¹、陳 鵬磊¹、加藤 智久²、田川 美穂¹、宇治原 徹^1,2 (1.名大、2.産総研)

キーワード：その場観察、X線トポグラフィ、積層欠陥

SiC基板の低抵抗化においては、高濃度の窒素添加がなされる。高濃度に窒素を添加すると高温環境下で積層欠陥が拡張・収縮することが報告されている。これまでに我々は、高温環境下でX線トポグラフィ観察が可能なシステムを構築し、透過配置での積層欠陥拡張・収縮挙動のその場観察に成功している。本研究では、部分転位のコアの判別が可能な後方反射配置におけるその場観察を行った。