[15a-P10-1~5] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[15a-P10-4] Effect of SiN_x anti-reflection films and irradiation directions on the structure of poly-Si films in the formation of poly-Si films by FLA

〇(M2)Yuki Sonoda¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:crystallization, flash lamp annealing

ガラス基板上に堆積したa-Si膜を、Xeランプからのミリ秒台の瞬間放電光を利用したFLAで結晶化する手法において、反射防止膜として使用するSiN_x膜の存在やパルス光の照射方向がpoly-Siの構造におよぼす影響を調査した。形成したすべてのpoly-Si膜は、少なくとも数十µmの長さを有する細長い結晶粒からなることをEBSD像から確認した。この結果から、SiN_x膜の存在およびパルス光の照射方向は、poly-Si膜の構造に大きな影響を与えないことが明らかになった。