[15a-P10-1~5] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[15a-P10-4] FLAでのpoly-Si形成におけるSiN_x反射防止膜および照射方向の結晶構造への影響

〇(M2)園田 裕生¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：結晶化、フラッシュランプアニール

ガラス基板上に堆積したa-Si膜を、Xeランプからのミリ秒台の瞬間放電光を利用したFLAで結晶化する手法において、反射防止膜として使用するSiN_x膜の存在やパルス光の照射方向がpoly-Siの構造におよぼす影響を調査した。形成したすべてのpoly-Si膜は、少なくとも数十µmの長さを有する細長い結晶粒からなることをEBSD像から確認した。この結果から、SiN_x膜の存在およびパルス光の照射方向は、poly-Si膜の構造に大きな影響を与えないことが明らかになった。