[15p-301-2~10] エネルギー材料開発に資するプラズマ技術最前線

[15p-301-5] 窒化物系結晶成長におけるプラズマ応用

〇小田 修¹、加納 浩之²、田 昭治³、近藤 博基¹、堀 勝¹ (1.名大工、2.NU-Rei(株)、3.(株)片桐エンジ)

キーワード：窒化物半導体、結晶成長、プラズマ応用

窒化物半導体の結晶成長に対するプラズマ技術の応用として、分子線エピタキシー(MBE)用の高密度ラジカルソース(HDRS)、ラジカル支援MOCVD(REMOCVD)法について紹介する。従来MBE法による窒化物半導体の成長においては、ラジカルソース源のラジカル密度が低かったため成長速度が遅かった。誘導結合プラズマ(ICP)と容量結合プラズマ(CCP)を複合して窒素ラジカル密度を高めた新規のHDRSを開発し、これにより窒化物半導体の成長速度を2.5μ/h以上に向上することができた。また、コストのかかるアンモニアガスを用いないREMOCVD法により、GaN、AlN、InNなどの窒化物半導体を低温成長可能とした。