[15p-304-1~10] 長期保管メモリのための高信頼配線技術

[15p-304-10] 2ゾーンCVDによる銅上へのナノカーボンの低温堆積

〇阿部 拓実¹、笹内 駿¹、上野 和良^1,2 (1.芝浦大工、2.芝浦グリーン研)

キーワード：ナノカーボン、2ゾーンCVD

集積回路の配線には銅が用いられている。微細化に伴う銅配線の抵抗上昇などの対策としてグラフェンで銅を覆った配線が注目されている。またグラフェンにはガスバリア性が報告されており長期保管中の配線の耐湿性向上の可能性がある。通常、銅上にグラフェンを堆積するには1000 ℃程度の高温が必要とされる。本研究では、より簡便な方法で低温CVDを行う方法として原料活性化を前段の電気炉による高温加熱で行う2ゾーンCVD法を検討した。