The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[15p-311-1~18] 6.4 Thin films and New materials

Wed. Mar 15, 2017 1:15 PM - 6:15 PM 311 (311)

Kentaro Shinoda(AIST), Yoshinobu Nakamura(Univ. of Tokyo), Kyoko Namura(Kyoto Univ.)

3:00 PM - 3:15 PM

[15p-311-7] Epitaixial growth of niobium hydride using reactive magnetron sputtering

〇(B)Yuki Sasahara1, Ryota Shimizu1, Issei Sugiyama1, Hiroyuki Oguchi2, Susumu Shiraki2, Shinichi Orimo2,3, Taro Hitosugi1,2 (1.Tokyo Tech, 2.Tohoku Univ. AIMR, 3.Tohoku Univ. IMR)

Keywords:metal hydride, epitaxial growth, magnetron sputtering

金属水素化物において、詳細な物性研究に必要なエピタキシャル薄膜の合成例は少ない。我々のグループでは反応性マグネトロンスパッタ法を用いた、単相のTiH2薄膜のエピタキシャル成長を報告した。水素化物の精緻な物性研究に向けた次なるステップとして、Ti以外の金属水素化物の薄膜合成とその成長方位制御を実現する必要がある。そこで、本研究ではNbHに着目し、そのエピタキシャル成長を試みたので報告する。