2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[15p-311-1~18] 6.4 薄膜新材料

2017年3月15日(水) 13:15 〜 18:15 311 (311)

篠田 健太郎(産総研)、中村 吉伸(東大)、名村 今日子(京大)

15:00 〜 15:15

[15p-311-7] 反応性マグネトロンスパッタ法を用いたNbH薄膜のエピタキシャル成長

〇(B)笹原 悠輝1、清水 亮太1、杉山 一生1、大口 裕之2、白木 将2、折茂 慎一2,3、一杉 太郎1,2 (1.東工大物質理工、2.東北大AIMR、3.東北大金研)

キーワード:金属水素化物、エピタキシャル成長、マグネトロンスパッタ

金属水素化物において、詳細な物性研究に必要なエピタキシャル薄膜の合成例は少ない。我々のグループでは反応性マグネトロンスパッタ法を用いた、単相のTiH2薄膜のエピタキシャル成長を報告した。水素化物の精緻な物性研究に向けた次なるステップとして、Ti以外の金属水素化物の薄膜合成とその成長方位制御を実現する必要がある。そこで、本研究ではNbHに着目し、そのエピタキシャル成長を試みたので報告する。