[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [15p-315-11] N極性GaN HEMTsにおけるMIS構造導入によるリーク電流の低減

〇プラスラットスック キャッティウット¹、三浦 輝紀¹、田中 真二¹、谷川 智之¹、木村 健司¹、窪谷 茂幸¹、末光 哲也²、松岡 隆志¹ (1.東北大金研、2.東北大通研)

キーワード：窒化物半導体、HEMT、N極性