[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [15p-315-9] GaN MOS-HEMTの制御性および安定性の向上

〇金木 奨太¹、西口 賢弥¹、橋詰 保¹ (1.北大量集セ)

キーワード：窒化ガリウム、MOSHEMT、窒化物

インバータ用途ノーマリオフ動作AlGaN/GaN HEMTや高周波用途InAlN/GaN HEMTにおいて、絶縁ゲート構造はゲートリーク電流を抑制するために必要不可欠である。一方で、MOS界面の準位密度に起因するデバイスの動作不安定性などの問題が存在する。本発表ではGaN MOS-HEMTを作製し、逆バイアスを印加した状態で低温での大気中アニールを行い、制御性及び安定性の向上を図った。