[15p-315-1~17] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15p-315-8] Effect of Al₂O₃ thickness on threshold voltage of SiO₂/Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

〇Toshiharu Kubo¹, Hideaki Zama², Tadamasa Kobayashi², Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. of Tech., 2.ULVAC,Inc)

Keywords:GaN, ALD, MIS-HEMT

原子層堆積(ALD)によりAl₂O₃膜を成膜した、Si基板上Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTデバイスの電気特性について、初期閾値電圧シフト⊿V_thを低減するため、本研究ではALD-Al₂O₃膜上にさらにプラズマ化学気相成長(PECVD)によりSiO₂膜を成膜した。その結果、Al₂O₃膜の薄膜化に伴う⊿V_thの低減が観測されたため、その結果を報告する。