[15p-411-1~16] 13.9 光物性・発光デバイス

[15p-411-12] ZnGa₂O₄:Eu膜の発光強度に与える基板の影響

〇赤沢 方省¹、篠島 弘幸² (1.NTT DIC、2.久留米高専)

キーワード：ZnGa2O4、Eu3+イオン、フォトルミネッセンス

ZnGa₂O₄膜中にドープしたEu³⁺イオンは、広いプロセス条件で発光するため、無機ELへの応用が期待される。高い発光効率の実現には、非輻射遷移を抑制することが必要である。今回基板としてSiの代わりにSiO₂を用い、発光強度の増強に成功した。また発光サイトにEu³⁺を収納するために必要な結晶性についての知見も得た。