[15p-412-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

△ [15p-412-8] ラジカル注入型プラズマ励起化学気相堆積法においてガス滞在時間がアモルファスカーボン膜の電子物性に及ぼす効果

〇杉浦 啓嗣¹、賈 凌雲¹、近藤 博基¹、石川 健治¹、竹田 圭吾¹、関根 誠¹、堀 勝² (1.名大院工、2.名大未来社会創造機構)

キーワード：アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、プラズマ励起化学気相堆積法

a-Cは、 sp²-Cとsp³-Cから構成される非晶質炭素材料である。しかしながらPECVD法における a-C 膜の成膜機構は十分明らかになっていない。特に、その電子物性制御においては、 気相領域から成膜表面までの包括的な反応機構、膜構造や電子物性との相関を明らかにすることが求められる。 本講演ではラジカル注入型PECVD 法を用いた a-C 膜の成膜において、ガス滞在時間が a-C 膜の光学的バンドギャップや導電率に及ぼす効果を報告する。