[15p-422-1~16] 3.13 Semiconductor optical devices

[15p-422-13] GaInAsP/InP Membrane DR Lasers with Low Differential Resistance

〇Nagisa Nakamura¹, Takahiro Tomiyasu¹, Takuo Hiratani¹, Daisuke Inoue¹, Tomohiro Amemiya^1,2, Nobuhiko Nishiyama^1,2, Shigehisa Arai^1,2 (1.Tokyo tech, 2.IIR)

Keywords:Semicontuctor membrane laser

オンチップ光配線の実現に向けた光源として、低電圧駆動かつ導波路損失削減を目的とした半導体薄膜DRレーザの作製を行った。従来素子に比べ不純物濃度を低減、電極距離の狭幅化を行ったところしきい値電流0.41 mA、外部微分量子効率12%、微分抵抗260 Ω、を得た。また、スペクトル特性から屈折率結合係数は1800 cm^-1と見積もられた。SMSR比と外部微分効率は従来素子に比べて低いが、狭幅化の影響により低微分抵抗を実現した。