[15p-F206-1~14] 22.1 Joint Session M

[15p-F206-13] Thermophysical Properties of Layered In₂O₃(ZnO)_m Thin Film

〇Junjun Jia¹, Yuichiro Yamashita², Takashi Yagi², Naoyuki Taketoshi², Yuzo Shigesato¹ (1.Aoyama Gakuin Univ., 2.AIST)

Keywords:Homologous In2O3(ZnO)m thin film, Thermoelectric thin film, Layered materials

ホモロガスIn2O3(ZnO)mは超格子層状構造を持っており、高温で化学的に安定性を持つため高温熱電材料として注目されている。本研究では、ホモロガスIn2O3(ZnO)m薄膜における熱伝導機構の解明を目的とした。In2O3(ZnO)m薄膜においてInO2層間のIn-Zn-O層数が増加するにつれ、熱伝導率は小さくなったことが確認された。また、ホモロガス構造を持つIn2O3(ZnO)m薄膜の熱伝導率はアモルファスIn₂O₃-ZnO薄膜 (In:Zn=5:1 in at.%) の熱伝導率の約半分程度であった。これはホモロガス構造ではフォノンの熱伝導への寄与が小さいためだと考えられる。