[15p-P14-1~11] 13.3 Insulator technology

[15p-P14-8] Detection of Strain Effect on Binding Energy of Ge 2p core level by HXPES with High Spatial Resolution

〇(B)Ryousuke Sano¹, Shiori Konoshima², Kouhei Takizawa², Kentaro Sawano¹, Hiroshi Nohira¹ (1.Tokyo City Univ., 2.Tokuo City Univ.)

Keywords:HXPES, uniaxial strain

選択的イオン注入法により作製した一軸歪み領域と二軸歪み領域が数μm間隔でライン状に並ぶGe試料を高い空間分解能を持つSPring-8の硬X線光電子分光(HXPES、BL47XU)を用いて測定した。その結果、一軸歪み領域と二軸歪み領域の幅が3µm/3µmの場合、Ge 2pの結合エネルギーの減少は周期的であり、かつその間隔は一軸歪み領域と一致していることを明らかにした。歪み領域の幅を変えた場合など、詳細な解析結果は、当日報告する。