[15p-P14-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[15p-P14-8] 高空間分解能HXPESによるGe 2p内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える影響の検出

〇(B)佐野 良介¹、此島 志織²、滝沢 耕平²、澤野 憲太郎¹、野平 博司¹ (1.東京都市大工、2.東京都市大院)

キーワード：HXPES、一軸歪み

選択的イオン注入法により作製した一軸歪み領域と二軸歪み領域が数μm間隔でライン状に並ぶGe試料を高い空間分解能を持つSPring-8の硬X線光電子分光(HXPES、BL47XU)を用いて測定した。その結果、一軸歪み領域と二軸歪み領域の幅が3µm/3µmの場合、Ge 2pの結合エネルギーの減少は周期的であり、かつその間隔は一軸歪み領域と一致していることを明らかにした。歪み領域の幅を変えた場合など、詳細な解析結果は、当日報告する。