[15p-P3-1~26] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-15] AlドープZnO透明導電膜上へのVO₂の積層堆積と転移特性評価

〇佐藤 賢太¹、星野 寛明¹、モハメッド シュルズ ミヤ¹、沖村 邦雄¹、安森 偉郎² (1.東海大院工、2.東海大教開研セ)

キーワード：二酸化バナジウム、酸化亜鉛

VO₂は比較的室温に近い68℃付近で数桁に渡る抵抗値変化(絶縁体-金属相転移, IMT)を示し, 赤外光の透過率も変化することから, 電気的・光学的なスイッチング素子などへの応用が期待されている. 今回は反応性スパッタ法により作成したAlドープZnO(AZO)透明導電膜の特性評価およびAZO上へ成長させたVO₂の転移特性評価を行った. c軸配向成長したAZO膜上へのVO₂がb軸配向成長が見られ, IMTによる抵抗値変化および赤外光透過率の変化が得られた. 講演ではこれらの電気的・光学的特性について発表する.