[15p-P3-1~26] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-16] 基板バイアス印加スパッタ法によるAl-doped ZnO薄膜の低温成長に関する研究

〇(M1)譲原 一樹¹、佐藤 賢太¹、星野 寛明¹、沖村 邦雄¹、安森 偉郎² (1.東海大院工、2.東海大学教開研セ)

キーワード：AZO薄膜

ZnO はワイドバンドギャップE_g = 3.3 eVのため可視光領域で高透過率を有し，AlやGaドープによって10^-4 Ωcm台の低抵抗率を示す透明導電膜として応用が進展している．しかし，実用化に向けて基板温度200℃以下での低温成膜技術が必要であり，スパッタ成膜法等における低温成長の開発が求められている．本研究では，高周波マグネトロンスパッタ(RFMS)法において基板バイアス印加による基板入射イオンエネルギー制御によってAZO薄膜の低温成長を試みた．