The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Poster presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[15p-P3-1~26] 6.3 Oxide electronics

Wed. Mar 15, 2017 1:30 PM - 3:30 PM P3 (BP)

1:30 PM - 3:30 PM

[15p-P3-18] Fabrication and Characterization of MIS Type Self-Switching Diodes Using Zinc Oxide

Sohei Matsuda1, Koki Nagayama1, Yi Sun1, Masatoshi Koyama1, Toshihiko Maemoto1, Shigehiko Sasa1, Seiya Kasai2 (1.Osaka Inst. of Tech. NMRC, 2.Hokkaido Univ. RCIQE)

Keywords:Zinc Oxide, Diodes

酸化亜鉛(ZnO)はp形薄膜を作製することが極めて難しく,pn接合による整流素子の作製が困難である.そこで我々は新しい構造を用いた整流素子であるプレーナ型のセルフスイッチングダイオード(SSD)に注目し,完全透明化とその電気特性について報告してきた.今回,我々は素子構造と整流比の改善を目的とし,MIS構造を有するSSD(MIS-type SSD)の作製を行った。その電流-電圧特性や整流比を評価したのでそれらの結果について報告する.