[15p-P8-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-P8-4] Ge薄膜／Si基板構造におけるドーパントの安定性に与える背景電荷と平面応力の影響

〇稲垣 淳¹、末岡 浩治² (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工)

キーワード：DFT、ゲルマニウムオンシリコン、ドーパント

Si基板上にGe表面薄膜を成長させたヘテロ構造モデルと比較用に同規模のSi表面モデルも用意し，各レイヤーに導入したIII，IV ，V族ドーパントの形成エネルギーを算出し，各バルクモデル導入時と比較することでその安定性を評価した．Ge薄膜部におけるGa原子はSi表面およびバルクモデルと比較して高く不安定性を示し，C原子は逆に安定した．原因としてSi基板上に成長させたGe薄膜のもつ背景電荷と平面圧縮応力の影響が考えられる．