[16a-502-1~12] 21.1 Joint Session K

△ [16a-502-6] Influence of hole trapping on transistor characteristics for C-doped In-Si-O

〇(D)Kazunori Kurishima^1,2, Toshihide Nabatame², Takio Kizu², Kazuhito Tsukagishi², Akihiko Ohi², Naoki Ikeda², Toyohiro Chikyow², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.NIMS)

Keywords:oxide semiconductor

In系金属酸化物をチャネル材料に用いた薄膜トランジスタ(TFT)では、In-Oの酸素かい離エネルギーが小さいために酸素欠損(V_O)を容易に生成して、結果としてストレス特性を劣化させる課題がある。In_1-xSi_xOCチャネルにおいて、V_thシフトの要因を明らかにすることは、信頼性向上のためにも必要不可欠である。本研究では、In_1-xSi_xOCチャネル膜に対して、負バイアスストレス(Negative gate bias stress : NBS)特性を真空中において測定して、ホールトラップについて詳細に議論した結果を報告する。