[16a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16a-502-6] ホールトラップがCドープIn-Si-Oのトランジスタ特性へ及ぼす影響

〇(D)栗島 一徳^1,2、生田目 俊秀²、木津 たきお²、塚越 一仁²、大井 暁彦²、池田 直樹²、知京 豊裕²、小椋 厚志¹ (1.明治大学、2.物質・材料研究機構)

キーワード：酸化物半導体

In系金属酸化物をチャネル材料に用いた薄膜トランジスタ(TFT)では、In-Oの酸素かい離エネルギーが小さいために酸素欠損(V_O)を容易に生成して、結果としてストレス特性を劣化させる課題がある。In_1-xSi_xOCチャネルにおいて、V_thシフトの要因を明らかにすることは、信頼性向上のためにも必要不可欠である。本研究では、In_1-xSi_xOCチャネル膜に対して、負バイアスストレス(Negative gate bias stress : NBS)特性を真空中において測定して、ホールトラップについて詳細に議論した結果を報告する。