2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-E206-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:15 E206 (E206)

曽根 正人(東工大)、後藤 正英(NHK技研)

12:00 〜 12:15

[16a-E206-13] ミニマルファブによるハーフインチサイズパッケージの電気的特性

居村 史人1,2、古賀 拓哉2、井上 道弘1、猿渡 新水1,2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合)

キーワード:ミニマルファブ

我々は、ミニマルファブの前工程とパッケージング工程を統合化した、前工程-後工程統一システムのモデルを創出し、このシステムモデルを具現化するためのハーフインチサイズパッケージの開発を進めてきた。今回、ミニマルファブで作製した半導体デバイス形成後のハーフインチウェハについてBGA(Ball Grid Array)パッケージングプロセスを行い、パッケージング後の半導体デバイスの電気的特性を評価したので報告する。